大尺寸YAG激光晶體技術(shù)改造項(xiàng)目，位于松江區(qū)石湖蕩鎮(zhèn)，規(guī)劃建設(shè)總用地面積為16,135平方米，總建筑面積為3,000平方米。項(xiàng)目一旦完成，將可以有效的解決中國YAG晶體生長的問題，推動我國激光晶體行業(yè)發(fā)展。尤其是對于我市激光行業(yè)的發(fā)展起到重要的促進(jìn)作用，目前國內(nèi)YAG激光晶體主要集中在成都、福州、武漢等地，上海卻未見規(guī)模化生產(chǎn)YAG晶體的企業(yè)，主要是部分科研院校。
　　根據(jù)國家和上海市有關(guān)建筑合理用能的標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)合本項(xiàng)目種類建筑的性質(zhì)、功能用途和使用條件，經(jīng)綜合計算，年用能規(guī)模為水0.02萬立方米、電力203.56萬千瓦時，節(jié)能效果理想。各種能源折標(biāo)準(zhǔn)煤系數(shù)，電力按3.0（噸標(biāo)準(zhǔn)煤/萬千瓦時）折標(biāo)系數(shù)，新水按0.86（噸標(biāo)準(zhǔn)煤/萬立方米）折標(biāo)系數(shù)，項(xiàng)目折算年綜合能耗為610.71噸標(biāo)煤。
　　極大規(guī)模集成電路用單晶硅晶體生長爐研制項(xiàng)目，規(guī)劃建設(shè)用地總面積為1,000平方米，總建筑面積為3,000平方米。項(xiàng)目主要用于研制極大規(guī)模集成電路用單晶硅晶體生長爐，用于生長制造8-12英寸單晶硅片的晶體生長爐, 通過自主研發(fā)，掌握極大規(guī)模集成電路用單晶硅晶體生長爐制造的自有知識產(chǎn)權(quán), 建設(shè)極大規(guī)模集成電路用單晶硅晶體生長爐制造生產(chǎn)線等。經(jīng)綜合計算，年用能規(guī)模為水0.02萬立方米、電力39.75萬千瓦時，節(jié)能效果理想。各種能源折標(biāo)準(zhǔn)煤系數(shù)，電力按3（噸標(biāo)準(zhǔn)煤/萬千瓦時）折標(biāo)系數(shù)，新水按0.86（噸標(biāo)準(zhǔn)煤/萬立方米）折標(biāo)系數(shù)，項(xiàng)目折算年綜合能耗為119.27噸標(biāo)煤。